Samsung Kembangkan HBM4 Terbaru, NVIDIA Mulai Uji Sampel Perdana untuk AI dan Data Center

Samsung kembali menjadi sorotan di industri memori usai memastikan kesiapan teknologi HBM4 generasi terbaru untuk memasuki tahap produksi massal. Produsen asal Korea Selatan ini sudah mengirimkan sampel HBM4 ke NVIDIA, menandai langkah penting dalam persaingan pasar memori berbandwidth tinggi yang kini sangat dipengaruhi tren AI generatif.

Menurut sumber industri, HBM4 milik Samsung telah melewati uji kebutuhan minimum NVIDIA dengan performa mencapai 11 Gbps per pin. Ini menjadi sinyal positif bagi Samsung setelah sebelumnya menghadapi tantangan konsistensi pada seri HBM3E. Proses kualifikasi oleh NVIDIA sendiri berjalan dengan standar sangat ketat, sehingga lolos pada tes awal tidak otomatis menjamin kemenangan penuh di lini produksi GPU berikutnya.

Peluang dan Strategi Samsung di Pasar HBM

Samsung telah menuntaskan tahapan Production Readiness Approval (PRA), sebuah checkpoint internal yang memastikan kesiapan chip sebelum diproduksi dalam volume besar. Fakta ini menunjukkan betapa seriusnya Samsung dalam mengamankan posisi mereka menghadapi kompetitor seperti SK hynix yang saat ini masih unggul secara pasar.

Dalam laporan keuangan terakhir, Samsung sudah menyampaikan bahwa HBM4 kini tersedia bagi pelanggan global, sedangkan HBM3E tetap diproduksi massal dan didistribusikan ke berbagai mitra. HBM4 direncanakan akan memasuki produksi massal pada pertengahan tahun depan, bersamaan dengan peluncuran strategis lain milik Samsung seperti proses node 2 nm GAA dan operasional pabrik terbaru di Texas.

Samsung juga tengah menyiapkan varian HBM4 dengan target peningkatan performa sekitar 40%. Versi ini diprediksi bakal diumumkan awal tahun depan, disesuaikan dengan roadmap AI dan permintaan yang terus meningkat dari para mitra seperti NVIDIA.

Perbandingan Teknologi: Samsung vs SK hynix

Berikut perbandingan singkat fitur utama antara Samsung HBM4 dan SK hynix HBM3E:

  1. Bandwidth per pin: HBM4 Samsung tembus 11 Gbps, layak untuk GPU generasi baru.
  2. Stabilitas produksi: HBM3E SK hynix masih diakui lebih konsisten dan efisien.
  3. Upaya pengembangan: Samsung memakai DRAM kelas 1c dan base die 4 nm untuk meningkatkan efisiensi panas dan performa.
  4. Target pasar: Kedua teknologi membidik sektor AI, khususnya untuk chip yang dioperasikan sepanjang waktu di pusat data.

Tantangan dan Risiko Produksi Massal

Kendati peluang terbuka, Samsung tetap menghadapi tantangan utama. Proses kualifikasi NVIDIA dikenal panjang dan ketat, mengingat prioritas stabilitas serta efisiensi XL yang diincar vendor GPU utama itu. Jika hasil produksi awal tidak memuaskan atau terjadi kendala yield wafer, risiko kehilangan kontrak utama masih terbuka.

Selain itu, produksi varian HBM4 super cepat juga membawa risiko termal seperti panas berlebih, yang sebelumnya sempat dialami saat peluncuran HBM3E. Samsung menaruh harapan besar pada kombinasi desain baru dan pengendalian kualitas manufaktur demi menekan kemungkinan masalah produksi massal.

Sementara Samsung memacu persiapan, kompetitor seperti SK hynix dan Micron tak tinggal diam. Kedua rival itu kabarnya turut mempercepat riset dan pengembangan teknologi HBM generasi berikutnya demi menjaga dominasi pasar.

Langkah agresif Samsung dalam menyiapkan HBM4 menunjukkan tekad meraih kembali pangsa pasar yang sempat goyah. Keberhasilan tahap kualifikasi massal akan sangat menentukan peran mereka dalam memenuhi kebutuhan chip AI dan server data berkapasitas tinggi untuk masa depan.

Exit mobile version